2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布，基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT, 简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

 

​​相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%

 

​3nm GAA 技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA 技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。

 

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称: MBCFET™  Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

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​三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。